RTS-8四探針測(cè)試儀參數(shù)：
測(cè)量范圍
電阻率：10-5～105Ω.cm；
方塊電阻：10-4～106Ω/□；
電阻：10-5～105Ω；
電導(dǎo)率：10-5～105s/cm；
可測(cè)晶片直徑：140mmX150mm (配S-2A型測(cè)試臺(tái))；
200mmX200mm (配S-2B型測(cè)試臺(tái))；
400mmX500mm (配S-2C型測(cè)試臺(tái))；
恒流源
電流量程分為 1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA 六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)；
數(shù)字電壓表
量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：＞1000MΩ；
精度：±0.1%；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動(dòng)顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)
間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻: ≥1000MΩ；
機(jī)械游移率: ≤0.3％；
探針：碳化鎢或高速鋼材質(zhì)，探針直徑Ф0.5mm；
探針壓力：5～16 牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)
見探頭附帶的合格證，合格證含三參數(shù)項(xiàng)：
C：探針系數(shù)； F：探針間距修正因子； S：探針平均間距；
模擬電阻測(cè)量相對(duì)誤差（按 JJG508-87 進(jìn)行）
0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3％±１字；
整機(jī)測(cè)量大相對(duì)誤差
(用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm 測(cè)試)≤±5％；
整機(jī)測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)不確定度
≤5％；
外型尺寸（大約）
電氣主機(jī): 460mm×320mm×100mm；
S-2A型測(cè)試臺(tái): 190mm×140mm×260mm；
S-2B型測(cè)試臺(tái): 300mm×210mm×400mm；
S-2C型測(cè)試臺(tái): 500mm×400mm×350mm；
儀器重量（大約）
電氣主機(jī): 3.5kg；
S-2A型測(cè)試臺(tái): 2kg；
S-2B型測(cè)試臺(tái): 2.5kg；
S-2C型測(cè)試臺(tái): 4kg；
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境
溫度:：23±2℃；
相對(duì)濕度：≤65％；
無(wú)高頻干擾；
無(wú)強(qiáng)光直射；
*.注意:使用1μA量程時(shí)，允許有小于1.0nA的空載電流.在相對(duì)濕度小于50%時(shí)使用。
